Alumínium-nitrid szubsztrát

Mullitszubsztrát(3 a1203. 2Si02): az egyik legstabilabb kristályfázis az A1203-Si02 bináris rendszerben, bár a mechanikai szilárdság és hővezető képesség alacsony az A1203-hoz képest, de a dielektromos állandója alacsony, így várhatóan tovább javítja a jelet átviteli sebesség. A hőtágulási együttható is alacsony, ami csökkentheti az LSI hőtágulási feszültségét, és a Mo, W vezetőanyag hőtágulási együtthatójának különbsége kicsi, ezáltal kis feszültség van a vezető között ciklus közben.

Alumíniumnitrid szubsztrát:
a. Nyersanyag: Az AIN nem természetes jelenlét, hanem mesterséges ásvány 1862-ben, először Genther és munkatársai szintetizálták. Az Aln por ábrázolása a nitrid módszer és a direkt nitridálás módszerének redukálása. Az előbbi az A1203-ban nagy tisztaságú szén-redukcióval reagál, majd nitrogénnel reagál, az utóbbi pedig közvetlenül nitridál. ;

b. Gyártási mód: A1203szubsztrátgyártás használható AIN szubsztrátumok gyártásánál, ahol maximálisan kihasználható a szerves laminálási eljárás, azaz az AIN alapanyag por, szerves ragasztó és oldószer, felületaktív anyag kevert Kerámia szuszpenzió, passzírozott, laminált, melegprés, zsírtalanítás, égés

C. Az AIN hordozó jellemzői: Az AIN több mint 10-szerese, és a CTE megegyezik a szilícium lapkával. Az AIN anyag viszonylag rokon az A1203-hoz, a szigetelési ellenállás, a szigetelés és a dielektromos állandó is kisebb. Ezek a tulajdonságok nagyon ritkák a csomagolóanyag-alkalmazásoknál;

d. Alkalmazás: VHF (Ultra High Frequency) frekvenciasávos teljesítményerősítő modulhoz, nagy teljesítményű eszközhöz és lézerdióda szubsztrátumhoz.