Szilícium-karbid hordozó

Szilíciumkeményfém hordozó:

a. Nyersanyag: A szilícium-karbidot nem természetes úton állítják elő, hanem szilícium-dioxiddal, koksszal és kis mennyiségű sóval összekeverik, és a grafitkemencét 2000 °C fölé melegítik, és az A-SIC keletkezik. Óvintézkedések: sötétzöld tömb alakú polikristályos összeállítás nyerhető;

b. Gyártási módszer: A SiC kémiai stabilitása és termikus stabilitása nagyon jó. Elterjedt módszerekkel nehéz a tömörítést elérni, ezért szinterezett segédanyagot kell hozzáadni, és speciális módszerekkel kell égetni, általában vákuumos termikus préselési módszerrel;

c. A SiC hordozó jellemzői: A legjellegzetesebb az, hogy a hődiffúziós együttható különösen nagy, még több réz, mint a réz, és a hőtágulási együtthatója közelebb áll a Si-hez. Természetesen vannak hiányosságok, viszonylag magas a dielektromos állandó, és a szigetelési feszültség rosszabb;

D. Alkalmazás: Szilíciumhozkeményfém hordozók, hosszú meghosszabbítás, kisfeszültségű áramkörök és VLSI nagy hűtési csomagok többszöri használata, például nagy sebességű, nagy integrációs logikai LSI szalag és szuper nagy számítógépek, fénykommunikációs kredit lézerdióda hordozó alkalmazása stb.

Tok szubsztrátja (BE0):

Hővezető képessége több mint kétszerese az A1203-nak, amely nagy teljesítményű áramkörökhöz alkalmas, dielektromos állandója pedig alacsony és nagyfrekvenciás áramkörökhöz is használható. A BE0 szubsztrát alapvetően száraz nyomású eljárással készül, és nyomnyi mennyiségű MgO és A1203 felhasználásával is előállítható, például tandem módszerrel. A BE0 por toxicitása miatt környezetvédelmi probléma van, és a BE0 szubsztrát Japánban nem engedélyezett, csak az Egyesült Államokból hozható be.